LED芯片的技术发展状况

对于标准管芯（200-350μm2），日本日亚公司报道的最高研究水平，紫光（400 nm）22 mW，其外量子效率为35.5%，蓝光(460 nm) 18.8
mW，其外量子效率为34.9%。美国Cree公司可以提供功率大于15 mW 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21
mW的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mW 绿光（505～525 nm）发光芯片。台湾现在可以向市场提供6 mW左右的蓝光和4
mW左右的紫光芯片，其实验室水平可以达到蓝光10 mW和紫光7～8 mW的水平。国内的公司可以向市场提供3～4mW的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6
mW左右，绿光1～2 mW，紫光1～2 mW。 随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，如波长625 nm
AlGaInP基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%，已接近极限。AlGaInN基材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得AlGaInN基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。